半導(dǎo)體無(wú)塵室操作使用須知處理晶片時(shí)，必須戴上無(wú)纖維手套，使用清洗過(guò)的乾凈鑷子挾持晶片，請(qǐng)勿以手指或其他任何東西接觸晶片，遭碰觸污染過(guò)的晶片須經(jīng)清洗，方得繼續(xù)使用：(1) 任

潔凈室純水系統(tǒng)使用操作方法1.    閥門控制(1)   閥門(VALVE)V1、V2、V3、V4、V6、V8、V10、V12、V13、V14、V16、V17、V19應(yīng)保持全開(kāi)。(2)   閥門V5、V7、V11、V18、V21應(yīng)保持全關(guān)

潔凈室光罩對(duì)對(duì)準(zhǔn)機(jī)使用操作方法曝光機(jī)簡(jiǎn)介    在半導(dǎo)體製程中，涂佈光阻后的晶片，須經(jīng)UV紫外光照射曝光顯影，此臺(tái)曝光機(jī)為OAI 200系列，整合光罩對(duì)準(zhǔn)、UV紫外光曝光顯影、U

潔凈室熱蒸鍍機(jī)使用操作方法A.開(kāi)機(jī)步驟1. 開(kāi)機(jī)器背面的總電源開(kāi)關(guān)。2. 開(kāi)冷卻水，需先啟動(dòng)D.I Water 系統(tǒng)。3. 開(kāi)RP，熱機(jī)2分鐘。4. 開(kāi)三向閥切至F.V的位置，等2分鐘。5. 開(kāi)DP，熱機(jī)30分鐘(熱機(jī)

潔凈室氧化爐管使用操作方法    一般潔凈室所採(cǎi)用之氧化爐管為L(zhǎng)enton LTF 1200水平管狀式爐子，可放2英吋硅晶圓，加熱區(qū)大於50cm，高溫度可達(dá)1200?C并可連續(xù)24hr，大操作溫度為1150

半導(dǎo)體無(wú)塵室黃光區(qū)操作及鑷子使用須知1. 濕度及溫度會(huì)影響對(duì)準(zhǔn)工作，在黃光區(qū)應(yīng)注意溫度及濕度，并應(yīng)減少對(duì)準(zhǔn)機(jī)附近的人，以減少濕、溫度的變化。2. 上妥光阻尚未曝光完成之晶片，

無(wú)塵車間使用化學(xué)藥品使用須知1. 化學(xué)藥品的進(jìn)出須登記，并知會(huì)管理人，并附上物質(zhì)安全資料表（MSDS）於實(shí)驗(yàn)室門口。2. 使用化學(xué)藥品前，請(qǐng)?jiān)斪x物質(zhì)安全資料表(MSDS)，并告知管理人。3.

潔凈室涂布機(jī)使用操作方法1. 首先將PUMP的電源插頭插入涂布機(jī)后面的電源插座。2. 將涂布機(jī)的插頭插入110V的電源插座，然后按下【POWER】鍵。3. 設(shè)定旋轉(zhuǎn)的轉(zhuǎn)速及時(shí)間，本機(jī)型為二段式加速